美國(guó) UNIVERSITY WAFER P型摻雜硅襯底 晶圓
什么是 P 型摻雜？
P 型摻雜涉及將受體原子（如硼）引入本征（純）硅中。這些原子的價(jià)電子比硅少（3 個(gè)而不是 4 個(gè)），在晶格中形成“空穴”。
它如何提高導(dǎo)電性：
空穴充當(dāng)電荷載流子。
當(dāng)來(lái)自相鄰原子的電子跳入以填充它們時(shí)，這些空穴可以在晶格中移動(dòng)。
空穴的這種運(yùn)動(dòng)本質(zhì)上是正電荷傳導(dǎo)。
結(jié)果：添加的硼越多（在限制范圍內(nèi)），產(chǎn)生的孔就越多，電導(dǎo)率也就越高。
| 本征硅 | P 型摻雜硅 | |
|---|---|---|
| 電荷載體 | 電子和空穴 | 大部分是 Holes |
| 傳導(dǎo)率 | 低 | 高于 intrinsic |
| 摻雜劑示例 | – | 硼、鎵 |
| 運(yùn)營(yíng)商類(lèi)型 | 平衡 | 大多數(shù)：孔（積極） |
浮子區(qū) （FZ）?6“?×25mm P 型 Si：P[100]，（7,025-7,865）Ohmcm， 1 SEMI 平面 我們有大量的初裝、測(cè)試和機(jī)械級(jí)未摻雜、低摻雜和高摻雜硅片?1” – 12“ 硅片 低摻雜和高摻雜 現(xiàn)貨供應(yīng)，隨時(shí)可以發(fā)貨。全硅片盒和部分硅片盒的示例包括：
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超薄硅片
100mm P/B （100） 1-10 ohm-cm 25um 2um 薄硅也可用！
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- 1“?未摻雜硅?（100） >1,000 ohm-cm 250um DSP
- 2 英寸 P/硼 （100） 1-10 歐姆-厘米 280 微米 SSP
- 3“ N/磷 （100） 0.01-0.02 ohm-cm 380um DSP
- 4“ 本征硅 （100） >20,000 ohm-cm 500um DSP
- 6 英寸 P/B （111） <1 ohm-cm 300um SSP
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- 12 英寸 P/B （100） 10-20 歐姆-厘米 DSP 850 微米
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P 型硅
- Si 項(xiàng)目 #1390 – 50.8mm P 型硼摻雜 （100） 0.001-0.005 ohm-cm 280um SSP Prime
- Si 項(xiàng)目 #978 – 76.2mm P 型摻硼 （100） 1-10 ohm-cm 380um SSP Prime
- Si 項(xiàng)目 #783 – 100mm P 型摻硼 （100） 10-20 ohm-cm 500um SSP Prime?
- Si 項(xiàng)目 #2454 – 150mm P 型摻硼 （100） 0.01-0.02 ohm-cm 625um SSP
- Si 項(xiàng)目 #2516 – 200mm P 型摻硼 （100） 24-36 ohm-cm 725um SSP
