美國(guó) Universitywafer 雙面拋光 （DSP） 硅晶片
雙面拋光 （DSP） 硅晶片
我們提供大量超平雙面拋光優(yōu)質(zhì)和測(cè)試級(jí)硅晶片，涵蓋各種直徑、厚度、方向和電阻率。我們的總厚度變化庫(kù)存中只有 1 微米的 TTV。
為了增加硅晶片的平整度，就是要對(duì)晶片的背面進(jìn)行拋光。雙面拋光有助于降低硅晶片表面的粗糙度。在制造需要超平面和低粗糙度規(guī)格的 MEMS 器件時(shí)，這是必須的。
除非另有說(shuō)明，否則以下是?CZ 晶圓。晶圓是 SEMI prime，具有一個(gè)或兩個(gè)平面或缺口。總厚度變化為 <1 μm，弓形 <5μm，翹曲為 <10μm。所有晶圓均為 Prime 級(jí)，并裝在密封的硬塑料盒中運(yùn)輸。
| 項(xiàng)目 | 類型/Dop | Ori. | 直徑（mm） | 總噸位（μm） | Polish | 分辨率 Ωcm |
| 6971 | n 型 Si：P | [100-25° 朝向[110] ±1° | 6″ | 675 | DSP | 1-100 |
| S5594 系列 | P/B | [100] | 5″ | 990 ±8 | DSP | 1-25 |
| D868 系列 | P/B | [100] | 5″ | 590 | DSP | 1-30 |
| F709 系列 | n 型 Si：P | [100] | 5″ | 762 ±12 | DSP | 5-35 |
| S6284 系列 | n 型 Si：P | [100] ±1° | 4″ | 200 ±10 | DSP | 1,000 斐濟(jì)> |
| G706 系列 | 本征 Si：- | [100] | 4″ | 500 | DSP | FZ?>20,000 |
| 6356 | 本征 Si：- | [100] | 4″ | 500 | DSP | FZ?>20,000 |
| J302 系列 | P/B | [100] | 4″ | 600 | DSP | 1-50 |
| 7089 | P/B | [100] | 4″ | 381 ±7 | DSP | 0.014-0.021 |
| F022 系列 | P/B | [111] ±0.3° | 4″ | 350 ±5 | DSP | <0.05 |
| 6570 | n 型 Si：P | [100] | 4″ | 400 | DSP | 1-10 |
雙面拋光硅片應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)
光學(xué)相干斷層掃描 （OCT）?是用于制造半導(dǎo)體元件的最重要工具之一。其精確的厚度測(cè)量使其能夠制造高質(zhì)量的硅晶片。該系統(tǒng)非常適合制造硅器件，例如高頻集成電路。它還有助于改進(jìn)制造工藝，對(duì)廣泛的工業(yè)應(yīng)用有效
雙面拋光硅片最重要的特性是其改進(jìn)的性能。其鏡面處理消除了表面的微粗糙和損傷，從而提高了效率并降低了污染風(fēng)險(xiǎn)。該過(guò)程涉及幾個(gè)步驟，有助于確保高質(zhì)量和一致的表面處理。本文將概述雙面拋光的好處以及它如何使您的業(yè)務(wù)受益。對(duì)于半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，這是一種經(jīng)濟(jì)高效的選擇。
雙面拋光硅片的主要優(yōu)勢(shì)是其卓越的性能。晶片的兩面都經(jīng)過(guò)拋光至鏡面光潔度。因此，表面污染顯著減少。該工藝還可有效降低顆粒捕獲的風(fēng)險(xiǎn)，而顆粒捕獲會(huì)導(dǎo)致性能不佳和效率低下。拋光工藝還使硅晶片比普通晶片更薄，從而形成單鑄錠制造方法。
