美國(guó) Universitywafer GaN晶圓 藍(lán)寶石襯底的GaN

美國(guó) Universitywafer GaN晶圓 藍(lán)寶石GaN

長(zhǎng)期以來(lái)，硅一直是電力電子的首選基板，但由于研究的進(jìn)步，GaN 已經(jīng)取代了硅。這種變化的原因是 GaN 被認(rèn)為是一種寬帶隙材料。這意味著它在高溫下運(yùn)行時(shí)具有高擊穿電壓和出色的效率.

藍(lán)寶石襯底的GaN晶圓是無(wú)線電能量放大的理想材料。與硅相比，它具有許多優(yōu)點(diǎn)，包括更高的擊穿電壓和更好的高溫性能。

Gallium Nitride on Sapphire Wafer

Gallim 氮化物 （GaN） 射頻功率是包括硅在內(nèi)的上一代材料的五倍。新的 GaN 技術(shù)進(jìn)步應(yīng)該會(huì)帶來(lái)更輕、更小、更強(qiáng)大的電子設(shè)備。

GaN 外延片由?6H-SiC 襯底上的 GaN 層組成。軸向直徑 50 mm，n 型，GaN 厚度 ~0.5 um

藍(lán)寶石上的 GaN 層，軸向直徑 50 mm，n 型，GaN 厚度 0.5-10 um。

GaN/AIN/SiC 外延片由 6H 碳化硅上的 AIN 層上的 GaN 層組成。

軸向直徑 50mm，n 型。

GaN 厚度 ~（0.5-0.8） um。

AIN 厚度 ~0.1 微米。

GaN/AIN/AI2O3 外延片由藍(lán)寶石上 AIN 層上的 GaN 層組成。

直徑 50mm，同軸，n 型，GaN 厚度 ~（0.5-0.8） um，AIN 厚度 ~0.1 um。

GaN 外延生長(zhǎng)在 Al2O3 襯底上

GaN 是一種二元 III/V 直接帶隙半導(dǎo)體，自 1990 年代以來(lái)常用于明亮的發(fā)光二極管。該化合物是一種非常堅(jiān)硬的材料，具有纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。其 3.4 eV?的寬帶隙使其具有特殊性能，適用于以下應(yīng)用：

  • 光電
  • 大功率器件
  • 高頻設(shè)備

例如，GaN 是使紫色 （405 nm） 半導(dǎo)體激光管成為可能的襯底，而無(wú)需使用非線性光學(xué)倍頻。它對(duì)電離輻射的敏感性很低（與其他?III 族氮化物一樣），使其成為衛(wèi)星太陽(yáng)能電池陣列的合適材料。軍事和太空應(yīng)用也可能受益，因?yàn)樵O(shè)備在輻射環(huán)境中表現(xiàn)出穩(wěn)定性。

氮化鎵晶體管可以在比砷化鎵 （GaAs）?晶體管高得多的溫度下工作，并在高得多的電壓下工作，它們是微波頻率的理想功率放大器。

藍(lán)寶石上的 HEMT 結(jié)構(gòu)，2 英寸

藍(lán)寶石上的 2 英寸 AlN 晶圓
藍(lán)寶石上的 2 英寸 GaN 晶圓（未摻雜），厚度為 4um
藍(lán)寶石上的 2 英寸 GaN 晶圓（硅摻雜），厚度為 4um
藍(lán)寶石上的 2 英寸 GaN 晶圓（摻鎂），厚度為 4 微米
Si 襯底上的 HEMT 結(jié)構(gòu)，SiC 襯底上的 2 英寸
HEMT 結(jié)構(gòu)，2 英寸
2 英寸氮化鎵藍(lán)色或綠色 LED 晶圓


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