晶圓（熱電偶、鍵合晶圓或RTD電阻式溫度檢測(cè)器）在半導(dǎo)體加工設(shè)備中得到應(yīng)用，在半導(dǎo)體加工設(shè)備中，了解和控制晶圓表面的溫度至關(guān)重要。
Thermo electric的儀器化晶圓被應(yīng)用于許多行業(yè)，包括快速熱處理（RTP）、快速熱退火（RTA）、暴露后烘烤（PEB）、化學(xué)氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）、離子注入、太陽(yáng)能電池和許多其他熱驅(qū)動(dòng)工藝。
Thermo electric擁有設(shè)計(jì)和安裝熱電偶的專(zhuān)業(yè)知識(shí)，包括硅、AlTiC、玻璃、陶瓷和其他裸露的基板，有涂層或有圖案的基材。其他定制基板，形狀和尺寸可供選擇.
多通道晶圓數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)-TEDAQ
Thermo Electric 的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（TEDAQ）和溫度映射軟件工具允許精確捕捉和分析任何類(lèi)型的儀表化晶圓的溫度數(shù)據(jù)。TEDAQ在儀器化晶圓組件上提供完全集成的多點(diǎn)溫度測(cè)量。
我們的TEDAQ提供了一個(gè)硬件和軟件嵌入式解決方案，可輕松應(yīng)用于任何尺寸的晶圓和多達(dá)64個(gè)熱電偶輸入。TEDAQ軟件與最新的Windows操作系統(tǒng)兼容。
TC-350H-高性能-溫度范圍（-50°C至350°C）
TC-350H使用盡可能最小的傳感元件，以減少熱質(zhì)量并增加每個(gè)傳感器的響應(yīng)時(shí)間。用于制造傳感器的材料經(jīng)過(guò)仔細(xì)選擇，以獲得盡可能高的精度和最大的傳感器間均勻性。
TC-350D-重工業(yè)-溫度范圍（-50°C至350°C）
TC-350D采用最堅(jiān)固的部件，以延長(zhǎng)這些易碎產(chǎn)品的使用壽命。用于制造傳感器的材料經(jīng)過(guò)仔細(xì)選擇，以獲得盡可能高的精度和最大的傳感器間均勻性。
TC-350晶圓產(chǎn)品采用熱電偶技術(shù)，以產(chǎn)生最準(zhǔn)確和可靠的讀數(shù)。
TC-700H-高性能-溫度范圍（-50°C至700°C）
TC-700H使用盡可能最小的傳感元件，以減少熱質(zhì)量并增加每個(gè)傳感器的響應(yīng)時(shí)間。用于制造傳感器的材料經(jīng)過(guò)仔細(xì)選擇，以獲得盡可能高的精度和最大的傳感器間均勻性。
TC-700D-高負(fù)載-溫度范圍（-50°C至700°C）
TC-700D使用最堅(jiān)固的部件來(lái)延長(zhǎng)這些易碎產(chǎn)品的使用壽命。用于制造傳感器的材料經(jīng)過(guò)仔細(xì)選擇，以獲得盡可能高的精度和最大的傳感器間均勻性。
TC-700晶片產(chǎn)品采用熱電偶技術(shù)，以產(chǎn)生最準(zhǔn)確和可靠的讀數(shù)。
TC-1200-高溫/高純度-溫度范圍（-50°C至1200°C）
TC-1200采用了一種非常獨(dú)特的連接方法，可實(shí)現(xiàn)極高的溫度運(yùn)行。該方法不使用粘合劑。取而代之的是，硅被激光焊接以固定傳感器。
這不僅允許高溫操作，而且還創(chuàng)造了最干凈的設(shè)計(jì)之一。通過(guò)消除粘合劑，不可能出現(xiàn)脫氣或其他不良情況。
這種設(shè)計(jì)適用于了解和控制硅片表面溫度至關(guān)重要的場(chǎng)合。大多數(shù)制造商將傳感器嵌入晶圓的核心。該產(chǎn)品將測(cè)量重點(diǎn)放在晶圓表面上最重要的過(guò)程發(fā)生的地方。在使用本產(chǎn)品時(shí)，您可以期望通過(guò)最準(zhǔn)確地放置傳感元件，獲得更快、更準(zhǔn)確的響應(yīng)時(shí)間。
雖然這些產(chǎn)品通常用于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)，但該技術(shù)也可用于測(cè)量任何其他二維表面的溫度均勻性。
TC-1200晶片產(chǎn)品采用熱電偶技術(shù)，以產(chǎn)生最準(zhǔn)確和可靠的讀數(shù)。
BTC700H-低剖面/高響應(yīng)-最高溫度700°C
BTC-700H提供低剖面和精確的配對(duì)晶圓對(duì)垂直對(duì)齊，以確?？焖贉?zhǔn)確的響應(yīng)。該產(chǎn)品將響應(yīng)典型晶圓鍵合過(guò)程中發(fā)生的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)溫度變化。
BTC700適用于需要了解和控制匹配硅片表面溫度均勻性的晶片鍵合設(shè)備。MEMS、MOEMS、絕緣體上硅（SOI）、晶圓級(jí)封裝和三維芯片堆疊是采用晶圓鍵合的主要技術(shù)類(lèi)別。
鍵合晶片可以由任何晶片直徑制成，因此可以在技術(shù)上盡可能接近特定的鍵合工藝。作為本產(chǎn)品的用戶(hù)，您可以期望對(duì)晶圓鍵合過(guò)程中發(fā)生的溫度變化做出快速、準(zhǔn)確和可靠的響應(yīng)。
RTD-低溫/高精度-最高溫度240°C
儀器化晶片RTD的工作原理是，某些金屬的電阻在一定溫度范圍內(nèi)以可重復(fù)和可預(yù)測(cè)的方式增加或減少。
與熱電偶晶片相比，RTD晶片具有更高的精度和更高的穩(wěn)定性，為監(jiān)控半導(dǎo)體制造設(shè)備提供了額外的選擇。
RTDs傳感器在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持初始精度的能力提供了溫度測(cè)量的可重復(fù)性。
剖面和尖峰熱電偶
剖面和尖峰熱電偶在半導(dǎo)體工藝（如摻雜工藝中使用的擴(kuò)散爐）的溫度控制中至關(guān)重要。
熱電公司在貴金屬（B型、S型、R型）熱電偶方面擁有廣泛的專(zhuān)業(yè)知識(shí)，并制造最先進(jìn)的質(zhì)量尖峰和剖面，可通過(guò)最嚴(yán)格的半導(dǎo)體工藝獲得信任。
