Silicon Valley Microelectronics SVM 雙面拋光晶片、超扁平晶片

絕緣體上硅 (SOI) 晶圓

SOI 硅片于 20 世紀(jì)末問世，是一種帶有絕緣層的專用硅片。這種晶片可提高集成電路的性能和能效，是低功耗設(shè)備和高速處理器等應(yīng)用的理想選擇。

可再生能源中的硅片

硅晶片也已成為可再生能源領(lǐng)域的基石，特別是在太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)中。將太陽(yáng)光轉(zhuǎn)化為電能的光伏（PV）電池通常是在硅晶片上制造的。

制造商正在探索生產(chǎn) 18 英寸（450 毫米）晶圓的可能性，以進(jìn)一步降低成本，提高芯片產(chǎn)量。與此同時(shí)，還在開發(fā)更薄的晶片，以盡量減少材料浪費(fèi)，提高可持續(xù)性。

先進(jìn)材料

雖然硅仍然是晶圓的主要材料，但碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等替代材料在大功率電子設(shè)備和射頻設(shè)備等特定應(yīng)用領(lǐng)域正受到越來(lái)越多的關(guān)注

量子計(jì)算

量子計(jì)算機(jī)的開發(fā)依賴于高度專業(yè)化的硅晶片來(lái)支持量子比特。這些硅片必須滿足極其嚴(yán)格的純度和結(jié)構(gòu)完整性要求。

50mm-300mm 硅片

硅谷微電子公司提供不同直徑的硅片（300 毫米、200 毫米、150 毫米、125 毫米、100 毫米、76 毫米和 50 毫米），規(guī)格多樣，適用于各種應(yīng)用。

可提供的不同直徑產(chǎn)品的庫(kù)存：300毫米、200毫米、150?毫米、125毫米、100?毫米、76?毫米、50毫米

300mm晶圓

直徑	類型/ 摻雜劑	厚度 (um)	定向	電阻率 (Ohm-cm)	TTV (um)	凹槽/ 定位邊	背面	粒子	產(chǎn)品代碼	專業(yè)類別
300mm	P/Boron	775 +/-25	{100}	20 至 40	<=0.9	凹槽	拋光	<=15@>=0.09	SV025	標(biāo)準(zhǔn)
300mm	P/Boron	775 +/-10	{100}	6 至 12	<=0.9	凹槽	拋光	<=50@>=0.045	SV026	標(biāo)準(zhǔn)
300mm	P/Boron	775 +/-25	{100}	1 至 30	<=3	凹槽	拋光	<=50@>=0.065	SV027	標(biāo)準(zhǔn)
300mm	P/Boron	775 +/-25	{100}	1 至 100	<=10	凹槽	拋光	<=100@>=0.2	SV028	標(biāo)準(zhǔn)
300mm	P/Boron	775 +/-25	{100}	0.015-0.02	<=5	凹槽	拋光	<=50@>=0.12	SV029	標(biāo)準(zhǔn)
300mm	P/Boron	775 +/-25	{100}	1 至 100	<=10	凹槽	拋光	<=100@>=0.2	SV030	標(biāo)準(zhǔn)