Silicon Valley Microelectronics SVM 單面拋光 (SSP) 和雙面拋光 (DSP) 晶圓襯底

Silicon Valley Microelectronics SVM 單面拋光 (SSP) 和雙面拋光 (DSP晶圓襯底

Silicon Valley Microelectronics 使用同步雙面拋光技術(shù),因此可以提供各種高質(zhì)量的超平晶圓,以滿足每個客戶精確控制的平整度要求。

雙面拋光晶圓

Silicon Valley Microelectronics 的產(chǎn)品線包括單面拋光 (SSP) 和雙面拋光 (DSP) 晶圓襯底。半導(dǎo)體通常需要雙面拋光晶圓,微機電系統(tǒng) (MEMS),以及需要具有嚴(yán)格控制平整度特性的晶圓的其他應(yīng)用。雙面圖案和器件制造項目也需要它們。

隨著半導(dǎo)體器件的不斷縮小,晶圓的正面和背面都具有較高的表面質(zhì)量變得越來越重要。目前,這些晶圓最常見于 MEMS、晶圓鍵合、絕緣體上硅 (SOI) 制造以及具有嚴(yán)格平整度要求的應(yīng)用程序。Silicon Valley Microelectronics 承認(rèn)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展,并致力于為所有客戶需求尋找長期解決方案。

SVM 擁有大量雙面拋光晶圓庫存,所有晶圓直徑從 50 毫米到 300 毫米不等。如果您的庫存中沒有您的規(guī)格,我們已經(jīng)與眾多制造合作伙伴建立了長期關(guān)系,這些合作伙伴能夠定制制造晶圓以適應(yīng)任何獨特的規(guī)格。雙面拋光晶圓采用半導(dǎo)體行業(yè)常用的硅、玻璃和其他材料。

直徑: 100 毫米

直徑: 150 毫米

直徑: 200 毫米

硅片硅片硅片
類型/摻雜劑:N 或 P類型/摻雜劑:N 或 P類型/摻雜劑:N 或 P
方向: <100>方向: <100>方向: <100>
電阻率:0-100 ohm-cm電阻率:0-100 ohm-cm電阻率:0-100 ohm-cm
厚度:525 +/- 20μm厚度:675 +/- 20 μm厚度:725 +/- 20 μm
TTV:< 5μmTTV:< 3μmTTV:< 2μm
STIR:根據(jù)要求提供攪拌:< 2μm攪拌:< 2μm
平面:1 或 2/ SEMI 標(biāo)準(zhǔn)缺口:SEMI 標(biāo)準(zhǔn)缺口:SEMI 標(biāo)準(zhǔn)
雙面拋光雙面拋光雙面拋光

所有工廠密封的 300mm 硅片都經(jīng)過雙面拋光。SVM 提供低至 <0.05 μm 或更高的場地平整度測量,場地尺寸為 26mm x 8mm,100% PUA。


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