Silicon Valley Microelectronics SVM 低電阻率晶圓 N/P型摻雜晶圓
Silicon Valley Microelectronics 提供 50mm 至 300mm 各種直徑的 N 型和 P 型低電阻率晶圓，帶或不帶背封。我們可以實(shí)現(xiàn)電阻率 <0.01 ohm-cm。
絕緣體上硅 (SOI) 晶圓
SOI 硅片于 20 世紀(jì)末問世，是一種帶有絕緣層的專用硅片。這種晶片可提高集成電路的性能和能效，是低功耗設(shè)備和高速處理器等應(yīng)用的理想選擇。
可再生能源中的硅片
硅晶片也已成為可再生能源領(lǐng)域的基石，特別是在太陽能電池的生產(chǎn)中。將太陽光轉(zhuǎn)化為電能的光伏（PV）電池通常是在硅晶片上制造的。
制造商正在探索生產(chǎn) 18 英寸（450 毫米）晶圓的可能性，以進(jìn)一步降低成本，提高芯片產(chǎn)量。與此同時(shí)，還在開發(fā)更薄的晶片，以盡量減少材料浪費(fèi)，提高可持續(xù)性。
先進(jìn)材料
雖然硅仍然是晶圓的主要材料，但碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等替代材料在大功率電子設(shè)備和射頻設(shè)備等特定應(yīng)用領(lǐng)域正受到越來越多的關(guān)注
量子計(jì)算
量子計(jì)算機(jī)的開發(fā)依賴于高度專業(yè)化的硅晶片來支持量子比特。這些硅片必須滿足極其嚴(yán)格的純度和結(jié)構(gòu)完整性要求。
低電阻率（重?fù)诫s）晶圓
低電阻率晶圓是重?fù)诫s的晶圓。它們對(duì)電流流動(dòng)的阻力低，并因其高導(dǎo)電性而被使用。這些晶片可以充電正 （P 型） 或負(fù) （N 型）.P 型晶片摻雜了硼，其中有帶正電的原子，這些原子通過晶片傳輸電流。N 型晶圓帶負(fù)電，并使用電子將電流帶過晶圓。這些晶片可以摻雜磷、砷或銻以獲得負(fù)電荷。
大多數(shù)晶圓在制造過程中都摻雜了。其他的，如本征晶片，在制造后被引入摻雜劑中。有幾種技術(shù)可用于在晶圓制造后添加摻雜劑：空空間擴(kuò)散、內(nèi)晶格擴(kuò)散和位置變化.所有這三種方法都涉及目標(biāo)分子擴(kuò)散到晶圓中。將摻雜劑引入晶圓的常見方法有三種：空空間擴(kuò)散、內(nèi)晶格擴(kuò)散和位置變化。
| 直徑 | 類型/ 摻雜劑 | 厚度 （um） | 取向 | 電阻率 | TTV （嗯） | 缺口/ 平面 | 背面 | 粒子 | 產(chǎn)品代碼 | 專業(yè)類別 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 50.8 毫米 | P/硼 | 280 +/-25 | {100} | 1 至 50 | <=10 | 1 個(gè)平面 | 蝕刻 | <=20@>=0.3 | 編號(hào) SV001 | 標(biāo)準(zhǔn) | ||
| 76 毫米 | P/硼 | 381 +/-25 | {100} | 10 到 20 | <=10 | 2 公寓 | 蝕刻 | <=30@>=0.3 | 編號(hào) SV002 | 標(biāo)準(zhǔn) | ||
| 100 毫米 | 不適用磷 | 525 +/-25 | {100} | 10 至 30 | <=5 | 2 公寓 | 蝕刻 | <=30@>=0.3 | 編號(hào) SV003 | 標(biāo)準(zhǔn) | ||
| 100 毫米 | P/硼 | 525 +/-25 | {100} | 10 到 20 | <=5 | 2 公寓 | 拋光 | <=20@>=0.3 | 編號(hào) SV004 | 標(biāo)準(zhǔn) | ||
| 100 毫米 | P/硼 | 525 +/-25 | {100} | 1 至 5 | <=5 | 2 公寓 | 蝕刻 | <=20@>=0.3 | 編號(hào) SV005 | 標(biāo)準(zhǔn) | ||
| 100 毫米 | P/硼 | 525 +/-25 | {100} | 5 到 10 | <=5 | 2 公寓 | 蝕刻 | <=20@>=0.3 | 編號(hào) SV006 | 標(biāo)準(zhǔn) | ||
| 100 毫米 | P/硼 | 525 +/-25 | {100} | 0.01 至 0.02 | <=7 | 2 公寓 | 蝕刻 | <=10@>=0.3 | 編號(hào) SV007 | 標(biāo)準(zhǔn) | ||
| 100 毫米 | P/硼 | 525 +/-25 | {100} | 0.001 – 0.002 | <=8 | 2 公寓 | 蝕刻 | <=20@>=0.3 | 編號(hào) SV009 | 標(biāo)準(zhǔn) | ||
| 150 毫米 | P/硼 | 625 +/-25 | {100} | 1 至 50 | <=5 | 1 杰達(dá) | 蝕刻 | <=20@>=0.2 | 編號(hào) SV016 | 標(biāo)準(zhǔn) | ||
| 200 毫米 | P/硼 | 725 +/-20 | {100} | 1 至 50 | <=5 | 缺口 | 蝕刻 | <=50@>=0.12 | 編號(hào) SV018 | 標(biāo)準(zhǔn) | ||
| 200 毫米 | P/硼 | 725 +/-25 | {100} | 5 至 30 | <=4 | 缺口 | 蝕刻 | <=50@>=0.16 | 編號(hào) SV019 | 標(biāo)準(zhǔn) | ||
| 200 毫米 | P/硼 | 725 +/-20 | {100} | 1 到 100 | <=7 | 缺口 | 蝕刻 | <=50@>=0.08 | 編號(hào) SV022 | 標(biāo)準(zhǔn) | ||
| 300 毫米 | P/硼 | 775 +/-10 | {100} | 6 至 12 | <=0.9 | 缺口 | 拋光 | <=50@>=0.045 | 編號(hào) SV026 | 標(biāo)準(zhǔn) | ||
| 200 毫米 | P/硼 | 725 +/-25 | {100} | 1 到 100 | <=10 | 缺口 | 蝕刻 | <=20@>=0.2 | 編號(hào) SV024 | 標(biāo)準(zhǔn) | ||
| 300 毫米 | P/硼 | 775 +/-25 | {100} | 1 到 100 | <=10 | 缺口 | 拋光 | <=100@>=0.2 | 編號(hào) SV028 | 標(biāo)準(zhǔn) | ||
| 300 毫米 | P/硼 | 775 +/-25 | {100} | 0.01-0.02 | <=5 | 缺口 | 拋光 | <=50@>=0.12 | 編號(hào) SV029 | 標(biāo)準(zhǔn) |
