PREVAC MBE系統(tǒng) 沉積系統(tǒng) 分子束外延 離子源 單晶的薄膜沉積 原子層沉積 真空鍍膜

微型MBE系統(tǒng)

一種簡單且功能齊全的 Mini MBE 系統(tǒng)用于薄層的外延生長。即插即用的緊湊設(shè)計(jì)。

如果您需要高質(zhì)量的沉積工藝,并結(jié)合低運(yùn)行成本的設(shè)計(jì)和小尺寸的設(shè)備,那么這就是答案。該裝置非常適合在研發(fā)裝置中快速測試新材料和技術(shù)。

分子束外延系統(tǒng)適用于來自 III/V、II/VI 族以及其他異質(zhì)結(jié)構(gòu)等的元素的生長。

標(biāo)準(zhǔn)MBE系統(tǒng)

PREVAC 獨(dú)立式 MBE 系統(tǒng)包括一個沉積工藝室和一個負(fù)載鎖定室,可方便快速地加載基板。它適用于 III/V、II/VI 族元素以及其他異質(zhì)結(jié)構(gòu)等的生長。

可提供底部法蘭可更換的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。使用專門設(shè)計(jì)的手推車可以輕松更換整個法蘭,因此為您的研究提供了各種不同的離子源配置和選項(xiàng)。

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高級MBE系統(tǒng)

用于薄層生長技術(shù)的先進(jìn)多腔室平臺,旨在與其他表面科學(xué)技術(shù)、輔助實(shí)驗(yàn)室設(shè)備和任何附件實(shí)現(xiàn)最大兼容性。?

多功能的模塊化設(shè)計(jì)允許輕松擴(kuò)展平臺并與任何其他沉積、分析或制備HV/UHV單元集成,例如通過徑向分配或隧道轉(zhuǎn)移系統(tǒng)。?

它用于單晶的薄膜沉積,并具有磁特性、形貌、晶體學(xué)、薄膜厚度等的原位表征。

iMBE系統(tǒng)

全自動MBE硬件設(shè)置用于薄膜生長,例如用于半生產(chǎn)和用戶方便的非常高質(zhì)量原子層的沉積。

iMBE 系統(tǒng)用于單晶的薄膜沉積,具有磁特性、形貌、晶體學(xué)、薄膜厚度等的原位表征功能。


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