微型 MBE 系統(tǒng)

• 即插即用結(jié)構(gòu)
• 經(jīng)濟的解決方案，專為空間有限的實驗室而設(shè)計
• 適合 III/V、II/VI 族元素以及其他異質(zhì)結(jié)構(gòu)的生長
• 多達 8 個蒸發(fā)源 DN 40CF?端口，帶電源
• 具有高精度溫度控制的 4 軸電動或手動機械手：電阻加熱高達 1000°C，EB 加熱高達 1400°C，水或 LN₂冷卻（可根據(jù)要求提供更簡單的機械手）
• 適用于?Flag 型底物/樣品架
• LN?的極限壓力₂護罩： <2×10^-10毫巴
• 小工藝腔?? 250 mm，帶可更換的下法蘭
• 泵送系統(tǒng)（基于前級泵、TMP、離子泵和TSP）
• 用于沉積速率測量和厚度監(jiān)測器的石英天平，帶有 Z 機械手，用于測量焦點的速率
• RHEED/TorrRHEED 帶設(shè)備
• 40CF 端口上的附加獨立快門
• 用于單個樣品架的裝載鎖室或用于 6 或 12 個 Flag 型基板支架的轉(zhuǎn)盤（作為存儲）
• 可靠、快速的線性傳輸系統(tǒng)，從負載鎖到工藝室
• 帶設(shè)備的真空計
• Viewports – 帶百葉窗的觀察窗
• 烘烤前帶有集成吹掃管路的冷卻系統(tǒng)
• Bakeout 系統(tǒng)
• 可調(diào)節(jié)的剛性主機架，帶有大輪子，便于放置系統(tǒng)
• 帶電子單元的 19 英寸機柜

描述

該處理室包含8個用于蒸發(fā)源的端口，而基板階段適用于10×10毫米的樣品，具有加熱和旋轉(zhuǎn)選項。

沉積過程可以在很寬的溫度范圍內(nèi)進行控制（從 LN₂高達 1400°C），并且可以完全通過 PLC 控制器進行軟件編程和控制。

工藝腔室配有 UHV 標(biāo)準(zhǔn)的連接法蘭，用于連接當(dāng)前和未來的設(shè)備，包括：

• 最多 8 個帶法蘭 DN40CF 的滲出池（高溫或低溫，單絲或多絲），
• 溫度范圍 （LN 起）₂高達 1400°C）、
• 泵送系統(tǒng)（基于前級泵、TMP、離子泵和TSP），
• 帶設(shè)備的真空計，
• 用于線性傳輸系統(tǒng)或運輸箱的入口，
• 石英天平、帶 Z 機械手的厚度監(jiān)測器、
• RHEED/TorrRHEED 與設(shè)備，
• 電動或手動快門（跟隨基材），用于鄰近層或掩模，
• 額外的氣體劑量，例如。對于反應(yīng)沉積過程，
• viewports – 帶百葉窗的觀察窗，
• 殘余氣體分析儀 /
• 診斷設(shè)備的加熱視口。

最終的設(shè)計和功能取決于系統(tǒng)配置。

泵送系統(tǒng)與小體積工藝腔相結(jié)合，可在短時間內(nèi)達到極限壓力，其中極限壓力保證低于 5×10^-10mbar 的

該系統(tǒng)配備了先進、易于使用的電源和電子設(shè)備，用于控制和支持離子源和整個包含的研究設(shè)備。

選項

• 電動或手動快門（跟隨基材），用于鄰近圖層或掩模
• 防止交叉污染的防護罩
• 真空手提箱（運輸箱），在負載鎖室中帶端口
• 額外的氣體計量，例如。用于反應(yīng)沉積工藝
• 殘余氣體分析儀
• 診斷設(shè)備的加熱視窗
• 高溫計
• 通過PLC單元和Synthesium軟件完全控制沉積過程和設(shè)備

應(yīng)用