高級(jí) MS 系統(tǒng)
定制的多腔室高精度沉積平臺(tái),采用模塊化、用戶友好的系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法。經(jīng)過(guò)現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的腔室設(shè)計(jì)結(jié)合了 PREVAC 以及其他制造商制造的各種典型或非標(biāo)準(zhǔn)組件,可實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的逐層鍍膜。
特征
- 多腔室和多技術(shù)沉積研究平臺(tái),具有許多有用的配置和選項(xiàng)
- 非常適合沉積金屬和介電薄膜
- 可提供不同尺寸的工藝腔室:? 450、? 570 和 ? 715 mm(可根據(jù)要求提供其他尺寸),具體取決于源的類型和數(shù)量
- 極限壓力范圍 10-7mbar 到 UHV
- 2 軸機(jī)械手,帶有由固體 SiC 制成的穩(wěn)定、長(zhǎng)壽命的加熱元件和接收站,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 1200 °C 的高溫
- 帶有兩級(jí)接收站的機(jī)械手,用于襯底支架,以滿足共聚焦和平面磁控管配置的要求
- 各種基板支架尺寸(從 10×10 毫米到 6 英寸,可根據(jù)要求提供其他尺寸)和形狀
- 提供濺射和濺射布置
- 在?DC、RF?和脈沖 DC 模式下運(yùn)行
- 單獨(dú)或以共沉積模式作,以生產(chǎn)各種薄膜成分
- 通過(guò)質(zhì)量流量控制實(shí)現(xiàn)?Ar 氣體自動(dòng)加注
- 可以使用原位表征工具,例如等離子體發(fā)射監(jiān)測(cè)器 (PEM)、橢偏儀、反射儀、石英天平或高溫計(jì)溫度測(cè)量系統(tǒng)
- 多個(gè)源由單個(gè)電源和開關(guān)網(wǎng)絡(luò)提供,或由多個(gè)電源提供用于共沉積處理
- 前門通道和/或負(fù)載鎖定室,用于快速且簡(jiǎn)單的基板加載
- 帶源的底部法蘭可以使用專用的升降小車完全訪問(wèn)或更換
- 模塊化框架,可進(jìn)行擴(kuò)展
- 樣品制備解決方案系列,例如手套箱、樣品切割器或?qū)闃悠芳訜帷?a href="http://ayf.org.cn/prevac/tag/%e5%86%b7%e5%8d%b4/" title="View all posts in 冷卻" target="_blank">冷卻、清潔等而設(shè)計(jì)的設(shè)備齊全的制備室。
- 帶電子單元的 19 英寸機(jī)柜
- 專用人機(jī)界面 (HMI) 設(shè)備,用于硬件輕松控制和監(jiān)控
- Synthesium?軟件用于完全控制沉積過(guò)程和設(shè)備
描述
系統(tǒng)的設(shè)計(jì)旨在與任何其他分析或沉積表面科學(xué)技術(shù)、輔助實(shí)驗(yàn)室設(shè)備和任何附件實(shí)現(xiàn)最大兼容性。使用徑向分布或隧道傳輸系統(tǒng),可以與其他真空室、模塊和裝置集成。
模塊化、用戶友好的系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法意味著只需更換通用安裝法蘭即可重新配置整個(gè)系統(tǒng),這一過(guò)程既快速又簡(jiǎn)單。
可以通過(guò)前門進(jìn)入工藝室,自動(dòng)抬起頂部法蘭,或通過(guò)底部法蘭進(jìn)入,可以使用專門設(shè)計(jì)的手推車進(jìn)行更換。因此,可以輕松快速地更換磁控管靶材、襯底支架機(jī)械手或訪問(wèn)/更換整個(gè)底部法蘭。頂部法蘭的升降機(jī)構(gòu)是電動(dòng)的,并由傳感器提供全面保護(hù)。
可以將機(jī)械手與兩個(gè)或多個(gè)基板支架的接收站一起使用,旨在在此過(guò)程中在一個(gè)腔室中使用共聚焦和/或平面磁控管幾何形狀。磁控管共焦幾何結(jié)構(gòu)是有利的,因?yàn)樗哂辛己玫膶泳鶆蛐浴⒐矠R射的可能性以及機(jī)械手的 R1 軸與襯底一起旋轉(zhuǎn)的可能性。平面幾何形狀的優(yōu)點(diǎn)是蒸發(fā)速率高、工作距離短、材料損失低,并且對(duì)提離過(guò)程沒(méi)有陰影效應(yīng)。
最終的設(shè)計(jì)和功能取決于系統(tǒng)配置。
該系統(tǒng)配置了適當(dāng)?shù)拿芊夂?a href="http://ayf.org.cn/prevac/tag/%e6%b3%b5%e9%80%81%e7%b3%bb%e7%bb%9f/" title="View all posts in 泵送系統(tǒng)" target="_blank">泵送系統(tǒng),以實(shí)現(xiàn) 10 范圍內(nèi)的基本真空-7mbar(帶氟橡膠密封門),5×10-8mbar(帶氟橡膠密封和差動(dòng)泵送門)或 UHV 壓力(無(wú)門,帶快速進(jìn)入負(fù)載鎖以引入襯底)。
工藝腔體配有不同尺寸的 UHV 標(biāo)準(zhǔn)連接法蘭,用于連接當(dāng)前和未來(lái)的設(shè)備,包括:
- 磁控管源 /
- 襯底機(jī)械手 /
- 用于清潔、蝕刻或活化基板表面的離子源,
- 抽水系統(tǒng) /
- 線性傳輸系統(tǒng)、徑向分配室或傳輸隧道的入口端口,
- 氣體加注系統(tǒng):工藝氣體多達(dá) 4 條管路,質(zhì)量流量控制多達(dá) 4 種氣體,
- 殘余氣體分析儀 /
- 石英天平 /
- 高溫計(jì) /
- 帶探測(cè)器的橢偏儀 /
- viewports (帶百葉窗的觀察窗口),
- 真空計(jì)。
泵送系統(tǒng)是不同類型泵的組合,例如前級(jí)真空泵、離子泵、低溫泵、渦輪分子泵或鈦升華泵,根據(jù)特定應(yīng)用需求單獨(dú)選擇以實(shí)現(xiàn)最佳泵送性能。
Synthesium?過(guò)程控制軟件允許各種類型和制造商的來(lái)源進(jìn)行集成和完美合作,并實(shí)現(xiàn)輕松的配方編寫、自動(dòng)生長(zhǎng)控制和廣泛的數(shù)據(jù)記錄。允許基于 Tango 開源設(shè)備集成新的附加組件。
該系統(tǒng)配備了先進(jìn)、易于使用的電源和電子設(shè)備,用于控制和支持離子源和整個(gè)包含的研究設(shè)備。
選項(xiàng)
提供一系列用于簡(jiǎn)化濺射工藝的輔助設(shè)備:?
- 高溫計(jì)?– 數(shù)字高溫計(jì)用于大范圍的非接觸式點(diǎn)狀溫度測(cè)量,
- 橢偏儀?– 分析反射光以確定電介質(zhì)、半導(dǎo)體和金屬薄膜的厚度和折射率。它使用以低入射角從膠片反射的光,
- 反射計(jì)?– 通過(guò)光譜反射系統(tǒng)快速、實(shí)時(shí)測(cè)量沉積速率、薄膜厚度、層均勻性和光學(xué)常數(shù)的非侵入式工具,
- 等離子體發(fā)射監(jiān)測(cè)器?(PEM) – 用于實(shí)時(shí)等離子體監(jiān)測(cè)而不影響其的光學(xué)發(fā)射光譜技術(shù),
- 水冷護(hù)罩?– 作為選項(xiàng),暗室可以配備 H2O 護(hù)罩 當(dāng)需要降低組件/過(guò)程溫度時(shí),
- 屏蔽保護(hù),防止交叉污染,
- 電動(dòng)快門(跟隨基板)用于厚度梯度的濺射沉積,
- 額外的氣體計(jì)量,例如用于反應(yīng)濺射工藝,
- 用于診斷的加熱視口,
- 手套箱。
應(yīng)用
應(yīng)用 | 例子 |
單層和多層導(dǎo)體薄膜(用于微電子和半導(dǎo)體器件)? | 鋁、鉬、鉬/金、鉭、鉭/金? |
用于半導(dǎo)體金屬化的阻擋層? | 鈦、W-鈦? |
磁性薄膜? | 鐵、鈷、鎳、鐵鋁硅、鈷鈮鈮鋯鋅、鈷鉻、鐵鎳鉻、鐵硅、鈷鎳鉻、鈷鎳硅? |
光學(xué)鍍膜 – 金屬(反射)? | 鉻、鋁、銀? |
光學(xué)鍍膜 – 電介質(zhì)? | 氧化鎂、鈦2、ZrO2? |
光掩模? | 鉻、鉬、鎢? |
透明的氣體/蒸汽滲透屏障? | 鋁2O3? |
透明電導(dǎo)體? | 慣置物2、 SnO2,In-SN-O (ITO)? |